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锑化铟 InSb（Indium Antimonide）
晶体呈银色、质脆，为闪锌矿结构.晶格常数为6.48Å，是一种直接带隙材料，其禁带宽度较窄，为0.18eV，而电子迁移率高达7800cm2/V·s，分子量 236.58 ，熔点535°C，密度5,76 g/cm3，不溶于水
基础信息
锑化铟是一种黑色固体，具有金属反射率和半导体的电学性质。它具有较高的导电性和热导性，并且在低温下表现出电阻远远低于传统的半导体材料。锑化铟的能隙较小，在接近室温时就可呈现出显著的半导体特性。
主要特点
锑化铟 InSb
①锑化铟在半导体器件中具有广泛的应用，如高速电子器件、红外探测器、光电测量设备等
②其高电阻率和低热电阻，锑化铟也被用于制造高温热电材料和热电偶
③锑化铟的高载流子迁移率使其在微电子行业中具有潜在的应用前景，可用于制造高效率的输运器件
应用范围