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光刻技术
    光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。
应用材料：
    硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等
 光刻加工工艺:
    接触式光刻:
 最小图形尺寸:1μm，套刻精度:±0.5μm
    步进式光刻:
 投影比例1:5，最小图形尺寸:0.35μm，套刻精度≤ 0.15μm(X,Y)，曝光范围<22*22mm
    电子束光刻:
 最小图形尺寸:10nm，套刻精度:40nm，曝光范围<直径 100mm
刻蚀技术
     刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
应用材料：
    硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等
 光刻加工工艺:
    接触式光刻:
 最小图形尺寸:1μm，套刻精度:±0.5μm
    步进式光刻:
 投影比例1:5，最小图形尺寸:0.35μm，套刻精度≤ 0.15μm(X,Y)，曝光范围<22*22mm
    电子束光刻:
 最小图形尺寸:10nm，套刻精度:40nm，曝光范围<直径 100mm
案例展示
xxx光刻
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