主要特点

一种典型的过渡金属氮化物超薄膜，在12英寸硅片上沉积的厚度仅为10nm，在纳米尺度下表现出显著的尺寸效应与界面效应。极薄形态下，薄膜表面平滑、晶粒细小，能有效减少界面散射，有助于实现器件微缩所需的低接触电阻。同时，依托12英寸大尺寸晶圆级镀膜工艺，薄膜具备极高的厚度均匀性与批次一致性，兼容主流半导体制造与先进封装产线

应用范围

1. 半导体超薄扩散阻挡层：作为铜互连或金属化工艺中的核心阻挡层材料，10nm超薄特性有助于在抑制金属扩散的同时降低整体互连电阻
2. 先进封装与晶圆级互连：作为12英寸晶圆级封装、重布线层（RDL）或凸块下金属层（UBM）的超薄导电层或阻挡层
3. 低接触电阻电极与导电层：作为先进逻辑器件或存储器件中的超薄导电电极，有效提升器件响应速度
4. 表面增强拉曼散射（SERS）基底：利用10nm TiN薄膜的表面等离激元效应与化学稳定性，用于高灵敏度生化分子检测
5. 高灵敏传感器与探测器：利用超薄薄膜极高的表面吸附活性与电学响应，用于气体传感器、生物传感器及光电探测器件
6. 光学超材料与防护涂层：用于光学超材料结构层、耐磨防腐涂层及生物相容性医疗器件表面强化