主要特点

一种重掺杂n型半导体材料，兼具高导电率与高可见光透过率。导电机制源于本征氧空位与高价锡离子（Sn⁴⁺）替代铟位
（In³⁺）共同贡献的自由电子。直接带隙半导体，禁带宽度一般在3.5~4.3 eV。核心性能上，电阻率可达10⁻⁴~10⁻⁵ Ω·cm，可见光透过率通常在85%~95%以上。光学特性表现为对可见光高透，对红外线高反（反射率80%以上），对紫外线高吸收（吸收率85%以上），并对微波具有一定衰减作用。薄膜状态具备较高的机械硬度与良好的化学稳定性

应用范围

1. 显示触控领域：作为液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、有机发光二极管（OLED）及触摸屏的透明导电电极
2. 光伏与新能源：用于薄膜太阳能电池（钙钛矿/非晶硅）前电极，以及电致变色玻璃（智能窗）的导电层
3. 建筑与汽车玻璃：用于Low-E节能玻璃、汽车隔热膜及红外反射镜等
4. 电磁屏蔽与抗静电：利用导电特性用于透明电磁屏蔽层及抗静电涂层
5. 传感器与光电器件：用于气敏传感器、生物传感器及薄膜晶体管（TFT）沟道层等