主要特点

一种宽禁带（约5.9 eV）III-V族化合物半导体材料。薄膜形态下具备优异的电绝缘性、极高的面内热导率（h-BN）及出色的高温抗氧化性。h-BN具有类似石墨的层状结构，可作为二维材料的理想绝缘衬底与介电层；c-BN则具有仅次于金刚石的超高硬度（显微硬度可达4000~5000 HV）与优异的耐磨性。同时具备良好的抗辐射性能与化学惰性，与多种基底结合力良好

应用范围

1. 二维材料与介质层：作为石墨烯、过渡金属硫族化合物的理想绝缘衬底与栅介质层，用于二维电子器件
2. 超硬耐磨与防护涂层：利用c-BN的超高硬度，用于高端切削刀具、精密模具及耐磨机械部件
3. 高效散热与热管理：利用h-BN的高面内热导率，用于高功率电子器件、LED及5G通信的导热散热薄膜
4. 深紫外光电器件：作为宽禁带半导体，用于深紫外LED、紫外探测器及深紫外激光器的功能层
5. 高温润滑与脱模涂层：利用h-BN的层状结构与高温稳定性，用于高温炉具润滑、金属铸造脱模及航天润滑
6. 中子辐射屏蔽与核工业：利用硼元素对中子的高吸收截面，用于核反应堆及辐射防护设施的中子屏蔽涂层